型号等于: | BD616 (2) |
型号起始: | BD616* (39) BD6164* (1) BD616L* (36) |
所属品牌: | 不限 BSI(36) INFINEON(1) ROHM(1) |
功能分类: | 不限 静态存储器(36) 晶体(1) 晶体管(1) 驱动(1) 接口集成电路(1) |
品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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BD616LV4017ECP55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BD616LV4017ECP70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BD616LV4017EI-55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BD616LV4017EI-70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BD616LV4017EIG55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BD616LV4017EIG70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BD616LV4017EIP55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BD616LV4017EIP70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位 |
静态存储器 |