型号等于:BD616 (2)
型号起始:BD616* (39) BD6164* (1) BD616L* (36)
所属品牌:不限 BSI(36) INFINEON(1) ROHM(1)
功能分类:不限 静态存储器(36) 晶体(1) 晶体管(1) 驱动(1) 接口集成电路(1)
品牌 图片 型号 描述 用途标签 PDF 供应商
BD616LV4017ECP55
中文翻译 品牌: BSI
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit
非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位
静态存储器
BD616LV4017ECP70
中文翻译 品牌: BSI
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit
非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位
静态存储器
BD616LV4017EI-55
中文翻译 品牌: BSI
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit
非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位
静态存储器
BD616LV4017EI-70
中文翻译 品牌: BSI
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit
非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位
静态存储器
BD616LV4017EIG55
中文翻译 品牌: BSI
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit
非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位
静态存储器
BD616LV4017EIG70
中文翻译 品牌: BSI
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit
非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位
静态存储器
BD616LV4017EIP55
中文翻译 品牌: BSI
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit
非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位
静态存储器
BD616LV4017EIP70
中文翻译 品牌: BSI
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit
非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位
静态存储器
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