型号起始: | BH616UV16* (35) BH616UV161* (35) |
所属品牌: | 不限 BSI(35) |
功能分类: | 不限 静态存储器(35) 存储(9) |
品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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BH616UV1611TIG55
中文翻译 品牌: BSI |
Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 1M X 16 bit / 2M x 8-bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 1M X 16位/ 2M ×8位 |
存储 静态存储器 | |||
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BH616UV1611TIG70
中文翻译 品牌: BSI |
Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 1M X 16 bit / 2M x 8-bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 1M X 16位/ 2M ×8位 |
存储 静态存储器 | |||
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BH616UV1611TIP55
中文翻译 品牌: BSI |
Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 1M X 16 bit / 2M x 8-bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 1M X 16位/ 2M ×8位 |
静态存储器 | |||
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BH616UV1611TIP70
中文翻译 品牌: BSI |
Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 1M X 16 bit / 2M x 8-bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 1M X 16位/ 2M ×8位 |
存储 静态存储器 | |||
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BH616UV1611_08
中文翻译 品牌: BSI |
Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 1M ×16位 |
静态存储器 |