型号起始：	BH616UV8* (42) BH616UV80* (42)
所属品牌：	不限 BSI(42)
功能分类：	不限静态存储器(42) 存储(6) 内存集成电路(4)

BH616UV8 - 型号起始; 总记录数：42

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		BH616UV8011AIG70 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BH616UV8011AIP55 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位	存储内存集成电路静态存储器
		BH616UV8011AIP70 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BH616UV8011DIG55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 512KX16, 55ns, CMOS, GREEN, DIE PACKAGE	静态存储器内存集成电路
		BH616UV8011DIG70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 512KX16, 70ns, CMOS, GREEN, DIE PACKAGE	静态存储器
		BH616UV8011DIP55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 512KX16, 55ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIE PACKAGE	静态存储器内存集成电路
		BH616UV8011DIP70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 512KX16, 70ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIE PACKAGE	静态存储器内存集成电路
		BH616UV8011TIG55 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BH616UV8011TIG70 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BH616UV8011TIP55 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BH616UV8011TIP70 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BH616UV8011_08 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器

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