型号等于: | BH616UV8010 (2) |
型号起始: | BH616UV8010* (28) BH616UV8010A* (8) BH616UV8010D* (8) BH616UV8010T* (9) BH616UV8010_* (1) |
所属品牌: | 不限 BSI(27) |
功能分类: | 不限 静态存储器(27) 存储(4) |
品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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BH616UV8010
中文翻译 品牌: BSI |
Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BH616UV8010AI
中文翻译 品牌: BSI |
Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BH616UV8010AI-70
中文翻译 品牌: BSI |
Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BH616UV8010AI55
中文翻译 品牌: BSI |
Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位 |
存储 静态存储器 | |||
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BH616UV8010AI70
中文翻译 品牌: BSI |
Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位 |
存储 静态存储器 | |||
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BH616UV8010AIG55
中文翻译 品牌: BSI |
Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BH616UV8010AIG70
中文翻译 品牌: BSI |
Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位 |
存储 静态存储器 | |||
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BH616UV8010AIP55
中文翻译 品牌: BSI |
Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BH616UV8010AIP70
中文翻译 品牌: BSI |
Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BH616UV8010DI
中文翻译 品牌: BSI |
Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BH616UV8010DI-70
中文翻译 品牌: BSI |
Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BH616UV8010DI55
中文翻译 品牌: BSI |
Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BH616UV8010DI70
中文翻译 品牌: BSI |
Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BH616UV8010DIG55
中文翻译 品牌: BSI |
Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BH616UV8010DIG70
中文翻译 品牌: BSI |
Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BH616UV8010DIP55
中文翻译 品牌: BSI |
Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BH616UV8010DIP70
中文翻译 品牌: BSI |
Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BH616UV8010TC
中文翻译 品牌: BSI |
Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BH616UV8010TI
中文翻译 品牌: BSI |
Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BH616UV8010TI-70
中文翻译 品牌: BSI |
Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BH616UV8010TI55
中文翻译 品牌: BSI |
Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BH616UV8010TI70
中文翻译 品牌: BSI |
Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BH616UV8010TIG55
中文翻译 品牌: BSI |
Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位 |
存储 静态存储器 | |||
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BH616UV8010TIG70
中文翻译 品牌: BSI |
Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BH616UV8010TIP55
中文翻译 品牌: BSI |
Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BH616UV8010TIP70
中文翻译 品牌: BSI |
Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BH616UV8010_06
中文翻译 品牌: BSI |
Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位 |
静态存储器 |
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