BH616UV8010D - 型号起始 - 静态存储器; 总记录数：8

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		BH616UV8010DI 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BH616UV8010DI-70 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BH616UV8010DI55 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BH616UV8010DI70 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BH616UV8010DIG55 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BH616UV8010DIG70 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BH616UV8010DIP55 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BH616UV8010DIP70 中文翻译品牌: BSI	Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器

Total:81

总8条记录，每页显示30条记录分1页显示。