型号等于:BH616UV8010DI (2)
型号起始:BH616UV8010DI* (9) BH616UV8010DI-* (1) BH616UV8010DI5* (1) BH616UV8010DI7* (1) BH616UV8010DIG* (2) BH616UV8010DIP* (2)
所属品牌:不限 BSI(8)
功能分类:不限 静态存储器(8)
品牌 图片 型号 描述 用途标签 PDF 供应商
BH616UV8010DI
中文翻译 品牌: BSI
Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit
超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位
静态存储器
BH616UV8010DI-70
中文翻译 品牌: BSI
Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit
超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位
静态存储器
BH616UV8010DI55
中文翻译 品牌: BSI
Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit
超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位
静态存储器
BH616UV8010DI70
中文翻译 品牌: BSI
Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit
超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位
静态存储器
BH616UV8010DIG55
中文翻译 品牌: BSI
Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit
超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位
静态存储器
BH616UV8010DIG70
中文翻译 品牌: BSI
Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit
超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位
静态存储器
BH616UV8010DIP55
中文翻译 品牌: BSI
Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit
超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位
静态存储器
BH616UV8010DIP70
中文翻译 品牌: BSI
Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit
超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位
静态存储器
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