型号起始：	BS616L* (1000) BS616LV* (1000)
所属品牌：	不限 BSI(1029) ETC(22)
功能分类：	不限静态存储器(1049) 内存集成电路(304) 存储(137) 光电二极管(158)

BS616L - 型号起始; 总记录数：1051

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		BS616LV1611TIP70 中文翻译品牌: BSI	SRAM	静态存储器
		BS616LV1611_06 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BS616LV1611_08 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BS616LV1613 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BS616LV1613FC 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BS616LV1613FC-55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BS616LV1613FC-70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BS616LV1613FC55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 1MX16, 55ns, CMOS, PBGA48	静态存储器
		BS616LV1613FC70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PBGA48	静态存储器内存集成电路
		BS616LV1613FCG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16位	存储内存集成电路静态存储器
		BS616LV1613FCG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16位	存储内存集成电路静态存储器
		BS616LV1613FCP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BS616LV1613FCP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16位	存储内存集成电路静态存储器
		BS616LV1613FI 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BS616LV1613FI-55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BS616LV1613FI-70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BS616LV1613FI55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 1MX16, 55ns, CMOS, PBGA48	静态存储器
		BS616LV1613FI70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PBGA48	静态存储器内存集成电路
		BS616LV1613FIG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BS616LV1613FIG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16位	存储内存集成电路静态存储器
		BS616LV1613FIP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16位	存储内存集成电路静态存储器
		BS616LV1613FIP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16位	存储内存集成电路静态存储器
		BS616LV1615 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BS616LV1615FC 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BS616LV1615FC-55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BS616LV1615FC-70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BS616LV1615FC55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 1MX16, 55ns, CMOS, PBGA48	静态存储器内存集成电路
		BS616LV1615FC70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PBGA48	静态存储器内存集成电路
		BS616LV1615FCG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16位	存储内存集成电路静态存储器
		BS616LV1615FCG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16位	存储内存集成电路静态存储器

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