型号起始：	BS616LV1* (334) BS616LV10* (200) BS616LV16* (134)
所属品牌：	不限 BSI(319) ETC(15)
功能分类：	不限静态存储器(334) 存储(53) 内存集成电路(104) 光电二极管(58)

BS616LV1 - 型号起始; 总记录数：334

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		BS616LV1010FCG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BS616LV1010FCG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BS616LV1010FCP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BS616LV1010FCP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BS616LV1010FI55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BS616LV1010FI70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BS616LV1010FIG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BS616LV1010FIG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BS616LV1010FIP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BS616LV1010FIP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BS616LV1010TC55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BS616LV1010TC70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BS616LV1010TCG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BS616LV1010TCG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BS616LV1010TCP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BS616LV1010TCP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BS616LV1010TI55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BS616LV1010TI70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BS616LV1010TIG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BS616LV1010TIG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BS616LV1010TIP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BS616LV1010TIP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位	静态存储器
		BS616LV1010_06 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位	静态存储器
		BS616LV1010_08 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位	静态存储器
		BS616LV1011 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位	静态存储器
		BS616LV1011AC 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位	静态存储器
		BS616LV1011AC-55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位	静态存储器
		BS616LV1011AC-70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位	静态存储器
		BS616LV1011AC55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 64KX16, 55ns, CMOS, PBGA48	静态存储器
		BS616LV1011AC70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PBGA48	静态存储器内存集成电路

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