型号起始：	BS616LV1* (334) BS616LV10* (200) BS616LV16* (134)
所属品牌：	不限 BSI(319) ETC(15)
功能分类：	不限静态存储器(334) 存储(53) 内存集成电路(104) 光电二极管(58)

BS616LV1 - 型号起始; 总记录数：334

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		BS616LV1011ACG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位	静态存储器
		BS616LV1011ACG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位	静态存储器
		BS616LV1011ACP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位	存储内存集成电路静态存储器
		BS616LV1011ACP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位	存储内存集成电路静态存储器
		BS616LV1011AI 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位	静态存储器
		BS616LV1011AI-55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位	静态存储器
		BS616LV1011AI-70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位	静态存储器
		BS616LV1011AI55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 64KX16, 55ns, CMOS, PBGA48	静态存储器内存集成电路
		BS616LV1011AI70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PBGA48	静态存储器内存集成电路
		BS616LV1011AIG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位	静态存储器
		BS616LV1011AIG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位	存储内存集成电路静态存储器
		BS616LV1011AIP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位	静态存储器
		BS616LV1011AIP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位	静态存储器
		BS616LV1011EC 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位	静态存储器
		BS616LV1011EC-55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位	静态存储器
		BS616LV1011EC-70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位	静态存储器
		BS616LV1011EC55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 64KX16, 55ns, CMOS, PDSO54	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV1011EC70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PDSO54	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV1011ECG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位	静态存储器
		BS616LV1011ECG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位	静态存储器
		BS616LV1011ECP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位	静态存储器
		BS616LV1011ECP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV1011EI 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位	静态存储器
		BS616LV1011EI-55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位	静态存储器
		BS616LV1011EI-70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位	静态存储器
		BS616LV1011EI55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 64KX16, 55ns, CMOS, PDSO54	静态存储器光电二极管
		BS616LV1011EI70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PDSO54	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV1011EIG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV1011EIG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV1011EIP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位	静态存储器

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