| 型号起始： | BS616LV10* (200) BS616LV101* (200) |
| 所属品牌： | 不限 BSI(200) |
| 功能分类： | 不限 静态存储器(200) 存储(35) 内存集成电路(56) 光电二极管(30) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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BS616LV1010DCP75
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010DI55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010DI70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010DIG55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010DIG70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010DIG75
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010DIP55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010DIP70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010DIP75
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010EAG70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, GREEN, TSOP2-44 | 静态存储器 光电二极管 | |||
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BS616LV1010EC
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010EC55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010EC70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010ECG55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | ||
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BS616LV1010ECG70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | ||
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BS616LV1010ECG75
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010ECP55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | ||
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BS616LV1010ECP70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | ||
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BS616LV1010ECP75
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010EI
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010EI55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010EI70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | |||
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BS616LV1010EIG55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | ||
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BS616LV1010EIG70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | ||
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BS616LV1010EIG75
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010EIP55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | ||
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BS616LV1010EIP70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | ||
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BS616LV1010EIP75
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010FC55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010FC70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位 |
静态存储器 |