型号起始：	BS616LV10* (200) BS616LV101* (200)
所属品牌：	不限 BSI(200)
功能分类：	不限静态存储器(200) 存储(35) 内存集成电路(56) 光电二极管(30)

BS616LV10 - 型号起始; 总记录数：200

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		BS616LV1012EI-55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 非常低的功率/电压CMOS SRAM	静态存储器
		BS616LV1012EI-70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 非常低的功率/电压CMOS SRAM	静态存储器
		BS616LV1012EI55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 64KX16, 55ns, CMOS, PDSO44	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV1012EI70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PDSO44	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV1012EIG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 非常低的功率/电压CMOS SRAM	静态存储器
		BS616LV1012EIG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 非常低的功率/电压CMOS SRAM	静态存储器
		BS616LV1012EIP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 非常低的功率/电压CMOS SRAM	静态存储器
		BS616LV1012EIP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 非常低的功率/电压CMOS SRAM	静态存储器
		BS616LV1013 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位	静态存储器
		BS616LV1013AC 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位	静态存储器
		BS616LV1013AC-70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位	静态存储器
		BS616LV1013AC70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PBGA48	静态存储器
		BS616LV1013ACG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位	存储内存集成电路静态存储器
		BS616LV1013ACP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位	存储内存集成电路静态存储器
		BS616LV1013AI 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位	静态存储器
		BS616LV1013AI-70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位	静态存储器
		BS616LV1013AI70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PBGA48	静态存储器内存集成电路
		BS616LV1013AIG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位	静态存储器
		BS616LV1013AIP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位	静态存储器
		BS616LV1013EC 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位	静态存储器
		BS616LV1013EC-70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位	静态存储器
		BS616LV1013EC70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PDSO44	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV1013ECG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位	静态存储器
		BS616LV1013ECP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV1013EI 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位	静态存储器
		BS616LV1013EI-70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位	静态存储器
		BS616LV1013EI70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PDSO44	静态存储器光电二极管
		BS616LV1013EIG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位	静态存储器
		BS616LV1013EIP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位	静态存储器
		BS616LV1015 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位	静态存储器

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