型号起始：	BS616LV10* (200) BS616LV101* (200)
所属品牌：	不限 BSI(200)
功能分类：	不限静态存储器(200) 存储(35) 内存集成电路(56) 光电二极管(30)

BS616LV10 - 型号起始 - 内存集成电路; 总记录数：56

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		BS616LV1010AA70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, BGA-48	静态存储器内存集成电路
		BS616LV1010AAG70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, GREEN, BGA-48	静态存储器内存集成电路
		BS616LV1010ACG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位	存储内存集成电路静态存储器
		BS616LV1010ACG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位	存储内存集成电路静态存储器
		BS616LV1010ACP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位	存储内存集成电路静态存储器
		BS616LV1010AIG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位	存储内存集成电路静态存储器
		BS616LV1010AIP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位	存储内存集成电路静态存储器
		BS616LV1010DCP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位	存储内存集成电路静态存储器
		BS616LV1010DCP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位	存储内存集成电路静态存储器
		BS616LV1010ECG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV1010ECG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV1010ECP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV1010ECP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV1010EI70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV1010EIG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV1010EIG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV1010EIP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV1011AC70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PBGA48	静态存储器内存集成电路
		BS616LV1011ACP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位	存储内存集成电路静态存储器
		BS616LV1011ACP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位	存储内存集成电路静态存储器
		BS616LV1011AI55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 64KX16, 55ns, CMOS, PBGA48	静态存储器内存集成电路
		BS616LV1011AI70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PBGA48	静态存储器内存集成电路
		BS616LV1011AIG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位	存储内存集成电路静态存储器
		BS616LV1011EC55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 64KX16, 55ns, CMOS, PDSO54	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV1011EC70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PDSO54	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV1011ECP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV1011EI70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PDSO54	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV1011EIG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV1011EIG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV1012AC55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 64KX16, 55ns, CMOS, PBGA48	静态存储器内存集成电路

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