型号起始: | BS616LV1010T* (12) BS616LV1010TC* (6) BS616LV1010TI* (6) |
所属品牌: | 不限 BSI(12) |
功能分类: | 不限 静态存储器(12) |
品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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BS616LV1010TC55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010TC70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010TCG55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010TCG70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010TCP55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010TCP70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010TI55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010TI70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010TIG55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010TIG70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010TIP55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV1010TIP70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位 |
静态存储器 |
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