型号等于: | BS616LV1011EC (1) BS616LV1011EI (1) |
型号起始: | BS616LV1011E* (18) BS616LV1011EC* (9) BS616LV1011EI* (9) |
所属品牌: | 不限 BSI(18) |
功能分类: | 不限 静态存储器(18) 存储(3) 内存集成电路(6) 光电二极管(7) |
品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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BS616LV1011EC55
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 64KX16, 55ns, CMOS, PDSO54 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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BS616LV1011EC70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PDSO54 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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BS616LV1011ECP70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | |||
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BS616LV1011EI70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PDSO54 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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BS616LV1011EIG55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | |||
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BS616LV1011EIG70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 |
Total:61
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