型号起始：	BS616LV2* (303) BS616LV20* (303)
所属品牌：	不限 BSI(303)
功能分类：	不限静态存储器(302) 内存集成电路(71) 光电二极管(43) 存储(27)

BS616LV2 - 型号起始; 总记录数：303

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		BS616LV2019_08 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 128K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 128K ×16位	静态存储器
		BS616LV2020 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K x 16 or 256K x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16或256K ×8位切换	静态存储器
		BS616LV2020AC 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K x 16 or 256K x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16或256K ×8位切换	静态存储器
		BS616LV2020AI 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K x 16 or 256K x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16或256K ×8位切换	静态存储器
		BS616LV2020DC 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K x 16 or 256K x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16或256K ×8位切换	静态存储器
		BS616LV2020DI 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K x 16 or 256K x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16或256K ×8位切换	静态存储器
		BS616LV2021 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K x 16 or 256K x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16或256K ×8位切换	静态存储器
		BS616LV2021AC 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K x 16 or 256K x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16或256K ×8位切换	静态存储器
		BS616LV2021AI 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K x 16 or 256K x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16或256K ×8位切换	静态存储器
		BS616LV2021DC 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K x 16 or 256K x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16或256K ×8位切换	静态存储器
		BS616LV2021DI 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K x 16 or 256K x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16或256K ×8位切换	静态存储器
		BS616LV2023 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K x 16 or 256K x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16或256K ×8位切换	静态存储器
		BS616LV2023AC 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K x 16 or 256K x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16或256K ×8位切换	静态存储器
		BS616LV2023AI 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K x 16 or 256K x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16或256K ×8位切换	静态存储器
		BS616LV2023DC 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K x 16 or 256K x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16或256K ×8位切换	静态存储器
		BS616LV2023DI 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K x 16 or 256K x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16或256K ×8位切换	静态存储器
		BS616LV2025 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K x 16 or 256K x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16或256K ×8位切换	静态存储器
		BS616LV2025AC 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K x 16 or 256K x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16或256K ×8位切换	静态存储器
		BS616LV2025AC55 中文翻译品牌: BSI	SRAM	静态存储器
		BS616LV2025AC70 中文翻译品牌: BSI	SRAM	静态存储器
		BS616LV2025ACG55 中文翻译品牌: BSI	SRAM	静态存储器
		BS616LV2025ACG70 中文翻译品牌: BSI	SRAM	静态存储器
		BS616LV2025ACP55 中文翻译品牌: BSI	SRAM	静态存储器
		BS616LV2025ACP70 中文翻译品牌: BSI	SRAM	静态存储器
		BS616LV2025AI 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K x 16 or 256K x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16或256K ×8位切换	静态存储器
		BS616LV2025AI55 中文翻译品牌: BSI	SRAM	静态存储器
		BS616LV2025AI70 中文翻译品牌: BSI	SRAM	静态存储器
		BS616LV2025AIG55 中文翻译品牌: BSI	SRAM	静态存储器
		BS616LV2025AIG70 中文翻译品牌: BSI	SRAM	静态存储器
		BS616LV2025AIP55 中文翻译品牌: BSI	SRAM	静态存储器

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