型号起始: | BS616LV2* (303) BS616LV20* (303) |
所属品牌: | 不限 BSI(303) |
功能分类: | 不限 静态存储器(302) 内存集成电路(71) 光电二极管(43) 存储(27) |
品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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BS616LV2017DIP70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV2017EC
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV2017EC-55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV2017EC-70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV2017EC55
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 128KX16, 55ns, CMOS, PDSO44 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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BS616LV2017EC70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PDSO44 | 静态存储器 光电二极管 | |||
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BS616LV2017ECG55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV2017ECG70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV2017ECP55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV2017ECP70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV2017EI
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV2017EI-55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV2017EI-70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV2017EI55
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 128KX16, 55ns, CMOS, PDSO44 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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BS616LV2017EI70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PDSO44 | 静态存储器 光电二极管 | |||
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BS616LV2017EIG55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV2017EIG70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV2017EIP55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | |||
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BS616LV2017EIP70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV2018
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV2018AC
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV2018AC55
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 128KX16, 55ns, CMOS, PBGA48 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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BS616LV2018AC70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PBGA48 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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BS616LV2018ACG55
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 128KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, MINIBGA-48 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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BS616LV2018ACG70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, MINIBGA-48 | 静态存储器 | |||
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BS616LV2018ACP55
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 128KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, MINIBGA-48 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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BS616LV2018ACP70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, MINIBGA-48 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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BS616LV2018AI
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV2018AI55
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 128KX16, 55ns, CMOS, PBGA48 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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BS616LV2018AI70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PBGA48 | 静态存储器 内存集成电路 |