型号起始: | BS616LV2* (303) BS616LV20* (303) |
所属品牌: | 不限 BSI(303) |
功能分类: | 不限 静态存储器(302) 内存集成电路(71) 光电二极管(43) 存储(27) |
品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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BS616LV2019ECG70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV2019ECP55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV2019ECP70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV2019EI55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV2019EI70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV2019EIG55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV2019EIG70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV2019EIP55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV2019EIP70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV2019TA-70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PDSO48, TSOP1-48 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | ||
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BS616LV2019TAG70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PDSO48, GREEN, TSOP1-48 | 静态存储器 光电二极管 | |||
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BS616LV2019TC
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV2019TC-55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV2019TC-70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV2019TC55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 128K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 128K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV2019TC70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 128K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 128K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | |||
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BS616LV2019TCG55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | ||
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BS616LV2019TCG70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | ||
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BS616LV2019TCP55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV2019TCP70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | |||
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BS616LV2019TI
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV2019TI-55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV2019TI-70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV2019TI55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 128K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 128K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | |||
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BS616LV2019TI70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 128K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 128K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV2019TIG55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位 |
静态存储器 | ||
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BS616LV2019TIG70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | ||
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BS616LV2019TIP55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | |||
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BS616LV2019TIP70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV2019_06
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 128K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 128K ×16位 |
静态存储器 |