型号起始: | BS616LV2* (303) BS616LV20* (303) |
所属品牌: | 不限 BSI(303) |
功能分类: | 不限 静态存储器(302) 内存集成电路(71) 光电二极管(43) 存储(27) |
品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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BS616LV2010EC10
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 128KX16, 100ns, CMOS, PDSO44 | 静态存储器 光电二极管 | |||
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BS616LV2010EC70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PDSO44 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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BS616LV2010ECG10
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 128KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44 | 静态存储器 光电二极管 | |||
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BS616LV2010ECG70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PDSO44 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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BS616LV2010ECP10
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 128KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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BS616LV2010ECP70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PDSO44 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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BS616LV2010EI10
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 128KX16, 100ns, CMOS, PDSO44 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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BS616LV2010EI70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PDSO44 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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BS616LV2010EIG10
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 128KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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BS616LV2010EIG70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PDSO44 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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BS616LV2010EIP10
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 128KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44 | 静态存储器 光电二极管 | |||
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BS616LV2010EIP70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PDSO44 | 静态存储器 光电二极管 | |||
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BS616LV2016EC55
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 128KX16, 55ns, CMOS, PDSO44 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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BS616LV2016EC70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PDSO44 | 静态存储器 光电二极管 | |||
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BS616LV2016ECG55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | ||
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BS616LV2016ECG70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | ||
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BS616LV2016ECP70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | ||
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BS616LV2016EI55
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 128KX16, 55ns, CMOS, PDSO44 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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BS616LV2016EI70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PDSO44 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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BS616LV2017EC55
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 128KX16, 55ns, CMOS, PDSO44 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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BS616LV2017EC70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PDSO44 | 静态存储器 光电二极管 | |||
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BS616LV2017EI55
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 128KX16, 55ns, CMOS, PDSO44 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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BS616LV2017EI70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PDSO44 | 静态存储器 光电二极管 | |||
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BS616LV2017EIP55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | |||
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BS616LV2018EC55
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 128KX16, 55ns, CMOS, PDSO44 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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BS616LV2018ECG55
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 128KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44 | 静态存储器 光电二极管 | |||
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BS616LV2018ECG70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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BS616LV2018ECP55
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 128KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44 | 静态存储器 光电二极管 | |||
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BS616LV2018ECP70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44 | 静态存储器 光电二极管 | |||
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BS616LV2018EI55
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 128KX16, 55ns, CMOS, PDSO44 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 |