型号等于：	BS616LV2016 (2)
型号起始：	BS616LV2016* (58) BS616LV2016A* (18) BS616LV2016D* (14) BS616LV2016E* (22) BS616LV2016_* (2)
所属品牌：	不限 BSI(57)
功能分类：	不限静态存储器(57) 存储(10) 内存集成电路(16) 光电二极管(7)

BS616LV2016 - 型号起始; 总记录数：57

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		BS616LV2016DIG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	静态存储器
		BS616LV2016DIP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	静态存储器
		BS616LV2016DIP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	静态存储器
		BS616LV2016EA-55 中文翻译品牌: BSI	SRAM	静态存储器
		BS616LV2016EAG55 中文翻译品牌: BSI	SRAM	静态存储器
		BS616LV2016EAP55 中文翻译品牌: BSI	SRAM	静态存储器
		BS616LV2016EAP70 中文翻译品牌: BSI	SRAM	静态存储器
		BS616LV2016EC 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	静态存储器
		BS616LV2016EC-55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	静态存储器
		BS616LV2016EC-70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	静态存储器
		BS616LV2016EC55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 128KX16, 55ns, CMOS, PDSO44	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV2016EC70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PDSO44	静态存储器光电二极管
		BS616LV2016ECG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV2016ECG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV2016ECP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	静态存储器
		BS616LV2016ECP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV2016EI 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	静态存储器
		BS616LV2016EI-55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	静态存储器
		BS616LV2016EI-70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	静态存储器
		BS616LV2016EI55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 128KX16, 55ns, CMOS, PDSO44	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV2016EI70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PDSO44	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV2016EIG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	静态存储器
		BS616LV2016EIG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	静态存储器
		BS616LV2016EIP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	静态存储器
		BS616LV2016EIP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	静态存储器
		BS616LV2016_06 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 128K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 128K ×16位	静态存储器
		BS616LV2016_08 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 128K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 128K ×16位	静态存储器

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