型号等于: | BS616LV2016DC (1) BS616LV2016DI (1) |
型号起始: | BS616LV2016D* (14) BS616LV2016DC* (7) BS616LV2016DI* (7) |
所属品牌: | 不限 BSI(14) |
功能分类: | 不限 静态存储器(14) 存储(3) 内存集成电路(3) |
品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
![]() |
![]() |
BS616LV2016DCG55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 | ||
![]() |
![]() |
BS616LV2016DCG70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 | ||
![]() |
![]() |
BS616LV2016DCP55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 |
Total:31
总3条记录,每页显示30条记录分1页显示。