BS616LV2016E - 型号起始 - 内存集成电路; 总记录数：6

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		BS616LV2016EC55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 128KX16, 55ns, CMOS, PDSO44	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV2016ECG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV2016ECG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV2016ECP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV2016EI55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 128KX16, 55ns, CMOS, PDSO44	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV2016EI70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PDSO44	静态存储器光电二极管内存集成电路

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