型号等于：	BS616LV2017 (2)
型号起始：	BS616LV2017* (52) BS616LV2017A* (18) BS616LV2017D* (14) BS616LV2017E* (18)
所属品牌：	不限 BSI(51)
功能分类：	不限静态存储器(51) 存储(4) 内存集成电路(9) 光电二极管(5)

BS616LV2017 - 型号起始; 总记录数：51

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		BS616LV2017 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	静态存储器
		BS616LV2017AC 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	静态存储器
		BS616LV2017AC-55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	静态存储器
		BS616LV2017AC-70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	静态存储器
		BS616LV2017AC55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 128KX16, 55ns, CMOS, PBGA48	静态存储器
		BS616LV2017AC70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PBGA48	静态存储器内存集成电路
		BS616LV2017ACG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	内存集成电路静态存储器
		BS616LV2017ACG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	存储内存集成电路静态存储器
		BS616LV2017ACP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	存储内存集成电路静态存储器
		BS616LV2017ACP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	存储内存集成电路静态存储器
		BS616LV2017AI 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	静态存储器
		BS616LV2017AI-55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	静态存储器
		BS616LV2017AI-70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	静态存储器
		BS616LV2017AI55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 128KX16, 55ns, CMOS, PBGA48	静态存储器
		BS616LV2017AI70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PBGA48	静态存储器内存集成电路
		BS616LV2017AIG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	静态存储器
		BS616LV2017AIG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	静态存储器
		BS616LV2017AIP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	静态存储器
		BS616LV2017AIP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	静态存储器
		BS616LV2017DC 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	静态存储器
		BS616LV2017DC-55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	静态存储器
		BS616LV2017DC-70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	静态存储器
		BS616LV2017DCG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	静态存储器
		BS616LV2017DCG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	静态存储器
		BS616LV2017DCP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	静态存储器
		BS616LV2017DCP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	静态存储器
		BS616LV2017DI 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	静态存储器
		BS616LV2017DI-55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	静态存储器
		BS616LV2017DI-70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	静态存储器
		BS616LV2017DIG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	静态存储器

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