型号等于: | BS616LV2017 (2) |
型号起始: | BS616LV2017* (52) BS616LV2017A* (18) BS616LV2017D* (14) BS616LV2017E* (18) |
所属品牌: | 不限 BSI(51) |
功能分类: | 不限 静态存储器(51) 存储(4) 内存集成电路(9) 光电二极管(5) |
品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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BS616LV2017AC70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PBGA48 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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BS616LV2017ACG55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位 |
内存集成电路 静态存储器 | |||
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BS616LV2017ACG70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 | |||
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BS616LV2017ACP55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 | |||
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BS616LV2017ACP70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 | |||
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BS616LV2017AI70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PBGA48 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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BS616LV2017EC55
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 128KX16, 55ns, CMOS, PDSO44 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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BS616LV2017EI55
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 128KX16, 55ns, CMOS, PDSO44 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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BS616LV2017EIP55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 |
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