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BS616LV2017DI - 型号起始 - 静态存储器; 总记录数：7

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		BS616LV2017DI 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	静态存储器
		BS616LV2017DI-55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	静态存储器
		BS616LV2017DI-70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	静态存储器
		BS616LV2017DIG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	静态存储器
		BS616LV2017DIG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	静态存储器
		BS616LV2017DIP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	静态存储器
		BS616LV2017DIP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	静态存储器

Total:71

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