型号等于：	BS616LV2018 (2)
型号起始：	BS616LV2018* (30) BS616LV2018A* (14) BS616LV2018D* (2) BS616LV2018E* (10) BS616LV2018T* (2)
所属品牌：	不限 BSI(29)
功能分类：	不限静态存储器(28) 内存集成电路(14) 光电二极管(10)

BS616LV2018 - 型号起始 - 静态存储器; 总记录数：28

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		BS616LV2018 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	静态存储器
		BS616LV2018AC 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	静态存储器
		BS616LV2018AC55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 128KX16, 55ns, CMOS, PBGA48	静态存储器内存集成电路
		BS616LV2018AC70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PBGA48	静态存储器内存集成电路
		BS616LV2018ACG55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 128KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, MINIBGA-48	静态存储器内存集成电路
		BS616LV2018ACG70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, MINIBGA-48	静态存储器
		BS616LV2018ACP55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 128KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, MINIBGA-48	静态存储器内存集成电路
		BS616LV2018ACP70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, MINIBGA-48	静态存储器内存集成电路
		BS616LV2018AI 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	静态存储器
		BS616LV2018AI55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 128KX16, 55ns, CMOS, PBGA48	静态存储器内存集成电路
		BS616LV2018AI70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PBGA48	静态存储器内存集成电路
		BS616LV2018AIG55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 128KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, MINIBGA-48	静态存储器内存集成电路
		BS616LV2018AIG70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, MINIBGA-48	静态存储器内存集成电路
		BS616LV2018AIP55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 128KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, MINIBGA-48	静态存储器内存集成电路
		BS616LV2018DC 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	静态存储器
		BS616LV2018DI 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	静态存储器
		BS616LV2018EC55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 128KX16, 55ns, CMOS, PDSO44	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV2018ECG55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 128KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44	静态存储器光电二极管
		BS616LV2018ECG70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV2018ECP55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 128KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44	静态存储器光电二极管
		BS616LV2018ECP70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44	静态存储器光电二极管
		BS616LV2018EI55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 128KX16, 55ns, CMOS, PDSO44	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV2018EIG55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 128KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44	静态存储器光电二极管
		BS616LV2018EIG70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44	静态存储器光电二极管
		BS616LV2018EIP55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 128KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44	静态存储器光电二极管
		BS616LV2018EIP70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV2018TC 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	静态存储器
		BS616LV2018TI 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	静态存储器

Total:281

总28条记录，每页显示30条记录分1页显示。