型号等于：	BS616LV2019 (2)
型号起始：	BS616LV2019* (74) BS616LV2019A* (20) BS616LV2019D* (18) BS616LV2019E* (12) BS616LV2019T* (20) BS616LV2019_* (2)
所属品牌：	不限 BSI(73)
功能分类：	不限静态存储器(73) 存储(13) 内存集成电路(15) 光电二极管(9)

BS616LV2019 - 型号起始 - 内存集成电路; 总记录数：15

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		BS616LV2019AA-70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, BGA-48	静态存储器内存集成电路
		BS616LV2019AC55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 128K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 128K ×16位	存储内存集成电路静态存储器
		BS616LV2019ACP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	存储内存集成电路静态存储器
		BS616LV2019AI70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 128K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 128K ×16位	存储内存集成电路静态存储器
		BS616LV2019AIG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	存储内存集成电路静态存储器
		BS616LV2019AIP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	存储内存集成电路静态存储器
		BS616LV2019DCG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	存储内存集成电路静态存储器
		BS616LV2019TA-70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PDSO48, TSOP1-48	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV2019TC70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 128K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 128K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV2019TCG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV2019TCG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV2019TCP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV2019TI55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 128K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 128K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV2019TIG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV2019TIP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管

Total:151

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