型号起始：	BS616LV2019E* (12) BS616LV2019EC* (6) BS616LV2019EI* (6)
所属品牌：	不限 BSI(12)
功能分类：	不限静态存储器(12)

BS616LV2019E - 型号起始 - 静态存储器; 总记录数：12

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		BS616LV2019EC55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV2019EC70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV2019ECG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV2019ECG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV2019ECP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV2019ECP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV2019EI55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV2019EI70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV2019EIG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV2019EIG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV2019EIP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV2019EIP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器

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