型号起始：	BS616LV4* (195) BS616LV40* (195)
所属品牌：	不限 BSI(188) ETC(7)
功能分类：	不限静态存储器(194) 内存集成电路(63) 光电二极管(30) 存储(16)

BS616LV4 - 型号起始 - 光电二极管; 总记录数：30

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		BS616LV4010EC10 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 256KX16, 100ns, CMOS, PDSO44	静态存储器光电二极管
		BS616LV4010EC70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO44	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV4010ECG10 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 256KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV4010ECG70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO44	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV4010ECP10 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 256KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV4010ECP70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO44	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV4010EI70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO44	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV4010EIG10 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 256KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV4010EIG70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO44	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV4010EIP70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO44	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV4016EC-55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV4016EC-70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV4016ECG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV4016ECP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV4016EI-70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV4016EIP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV4017ECG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV4017ECP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV4018EC55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PDSO44	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV4018EC70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO44	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV4018ECG55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV4018ECG70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV4018ECP55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV4018ECP70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44	静态存储器光电二极管
		BS616LV4018EI55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PDSO44	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV4018EI70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO44	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV4018EIG55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV4018EIG70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV4018EIP55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV4018EIP70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44	静态存储器光电二极管内存集成电路

Total:301

总30条记录，每页显示30条记录分1页显示。