型号等于：	BS616LV4017 (2)
型号起始：	BS616LV4017* (40) BS616LV4017A* (12) BS616LV4017D* (10) BS616LV4017E* (14) BS616LV4017_* (2)
所属品牌：	不限 BSI(39)
功能分类：	不限静态存储器(38) 存储(5) 内存集成电路(5) 光电二极管(2)

BS616LV4017 - 型号起始 - 静态存储器; 总记录数：38

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		BS616LV4017 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4017AC 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4017AC55 中文翻译品牌: BSI	SRAM	静态存储器
		BS616LV4017ACG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4017ACG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位	存储内存集成电路静态存储器
		BS616LV4017ACP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4017ACP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位	存储内存集成电路静态存储器
		BS616LV4017AI 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4017AI70 中文翻译品牌: BSI	SRAM	静态存储器
		BS616LV4017AIG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4017AIG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4017AIP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4017AIP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4017DC 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4017DCG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4017DCG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4017DCP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位	存储内存集成电路静态存储器
		BS616LV4017DCP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4017DI 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4017DIG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4017DIG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4017DIP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4017DIP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4017EC 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4017EC55 中文翻译品牌: BSI	SRAM	静态存储器
		BS616LV4017ECG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4017ECG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV4017ECP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4017ECP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV4017EI 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器

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