型号等于：	BS616LV4017EC (1) BS616LV4017EI (1)
型号起始：	BS616LV4017E* (14) BS616LV4017EC* (7) BS616LV4017EI* (7)
所属品牌：	不限 BSI(14)
功能分类：	不限静态存储器(13) 存储(2) 内存集成电路(2) 光电二极管(2)

BS616LV4017E - 型号起始 - 静态存储器; 总记录数：13

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		BS616LV4017EC 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4017EC55 中文翻译品牌: BSI	SRAM	静态存储器
		BS616LV4017ECG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4017ECG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV4017ECP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4017ECP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV4017EI 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4017EI55 中文翻译品牌: BSI	SRAM	静态存储器
		BS616LV4017EI70 中文翻译品牌: BSI	SRAM	静态存储器
		BS616LV4017EIG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4017EIG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4017EIP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BS616LV4017EIP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器

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