型号等于：	BS616LV4020 (1) BS616LV4021 (1) BS616LV4023 (1) BS616LV4025 (1)
型号起始：	BS616LV402* (22) BS616LV4020* (7) BS616LV4021* (5) BS616LV4023* (5) BS616LV4025* (5)
所属品牌：	不限 BSI(22)
功能分类：	不限静态存储器(22)

BS616LV402 - 型号起始 - 静态存储器; 总记录数：22

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		BS616LV4020 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K x 16 or 512K x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16或512K ×8位切换	静态存储器
		BS616LV4020AC 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K x 16 or 512K x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16或512K ×8位切换	静态存储器
		BS616LV4020AI 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K x 16 or 512K x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16或512K ×8位切换	静态存储器
		BS616LV4020BC 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K x 16 or 512K x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16或512K ×8位切换	静态存储器
		BS616LV4020BI 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K x 16 or 512K x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16或512K ×8位切换	静态存储器
		BS616LV4020DC 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K x 16 or 512K x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16或512K ×8位切换	静态存储器
		BS616LV4020DI 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K x 16 or 512K x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16或512K ×8位切换	静态存储器
		BS616LV4021 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K x 16 or 512K x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16或512K ×8位切换	静态存储器
		BS616LV4021BC 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K x 16 or 512K x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16或512K ×8位切换	静态存储器
		BS616LV4021BI 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K x 16 or 512K x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16或512K ×8位切换	静态存储器
		BS616LV4021DC 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K x 16 or 512K x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16或512K ×8位切换	静态存储器
		BS616LV4021DI 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K x 16 or 512K x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16或512K ×8位切换	静态存储器
		BS616LV4023 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K x 16 or 512K x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16或512K ×8位切换	静态存储器
		BS616LV4023BC 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K x 16 or 512K x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16或512K ×8位切换	静态存储器
		BS616LV4023BI 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K x 16 or 512K x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16或512K ×8位切换	静态存储器
		BS616LV4023DC 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K x 16 or 512K x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16或512K ×8位切换	静态存储器
		BS616LV4023DI 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K x 16 or 512K x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16或512K ×8位切换	静态存储器
		BS616LV4025 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K x 16 or 512K x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16或512K ×8位切换	静态存储器
		BS616LV4025BC 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K x 16 or 512K x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16或512K ×8位切换	静态存储器
		BS616LV4025BI 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K x 16 or 512K x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16或512K ×8位切换	静态存储器
		BS616LV4025DC 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K x 16 or 512K x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16或512K ×8位切换	静态存储器
		BS616LV4025DI 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K x 16 or 512K x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16或512K ×8位切换	静态存储器

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