型号起始：	BS616LV8* (219) BS616LV80* (219)
所属品牌：	不限 BSI(219)
功能分类：	不限静态存储器(219) 存储(41) 内存集成电路(66) 光电二极管(27)

BS616LV8 - 型号起始; 总记录数：219

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		BS616LV8015BI 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8016 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8016DC55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8016DC70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8016DCG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8016DCG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8016DCP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8016DCP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8016DI55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8016DI70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8016DIG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8016DIG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8016DIP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8016DIP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8016FA55 中文翻译品牌: BSI	SRAM	静态存储器
		BS616LV8016FAG55 中文翻译品牌: BSI	SRAM	静态存储器
		BS616LV8016FAP55 中文翻译品牌: BSI	SRAM	静态存储器
		BS616LV8016FAP70 中文翻译品牌: BSI	SRAM	静态存储器
		BS616LV8016FC 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8016FC-55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8016FC-70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8016FC55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8016FC70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8016FCG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8016FCG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8016FCP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	存储内存集成电路静态存储器
		BS616LV8016FCP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	存储内存集成电路静态存储器
		BS616LV8016FI 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8016FI-55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8016FI-70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器

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