型号起始: | BS616LV8* (219) BS616LV80* (219) |
所属品牌: | 不限 BSI(219) |
功能分类: | 不限 静态存储器(219) 存储(41) 内存集成电路(66) 光电二极管(27) |
品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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BS616LV8016FI55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 512K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 | |||
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BS616LV8016FI70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 512K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV8016FIG55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV8016FIG70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV8016FIP55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 | ||
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BS616LV8016FIP70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 | ||
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BS616LV8016_06
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 512K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV8016_08
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 512K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV8017
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV8017DC55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 512K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV8017DC70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 512K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV8017DCG55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 512K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 | ||
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BS616LV8017DCG70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 512K ×16位 |
静态存储器 | ||
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BS616LV8017DCP55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 512K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV8017DCP70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 512K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 | ||
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BS616LV8017DI55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 512K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV8017DI70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 512K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV8017DIG55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 512K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV8017DIG70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 512K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV8017DIP55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 512K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV8017DIP70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 512K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV8017EA70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | ||
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BS616LV8017EAG70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, GREEN, TSOP2-44 | 静态存储器 光电二极管 | |||
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BS616LV8017EC
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV8017EC-55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV8017EC-70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV8017EC55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 512K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV8017EC70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 512K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | |||
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BS616LV8017ECG55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV8017ECG70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 |