型号起始：	BS616LV8* (219) BS616LV80* (219)
所属品牌：	不限 BSI(219)
功能分类：	不限静态存储器(219) 存储(41) 内存集成电路(66) 光电二极管(27)

BS616LV8 - 型号起始; 总记录数：219

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		BS616LV8017_08 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8018 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8018FC 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8018FC-55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8018FC-70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8018FC55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 512KX16, 55ns, CMOS, PBGA48	静态存储器内存集成电路
		BS616LV8018FC70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PBGA48	静态存储器
		BS616LV8018FCG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	存储内存集成电路静态存储器
		BS616LV8018FCG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	存储内存集成电路静态存储器
		BS616LV8018FCP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	存储内存集成电路静态存储器
		BS616LV8018FCP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	存储内存集成电路静态存储器
		BS616LV8018FI 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8018FI-55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8018FI-70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8018FI55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 512KX16, 55ns, CMOS, PBGA48	静态存储器内存集成电路
		BS616LV8018FI70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PBGA48	静态存储器内存集成电路
		BS616LV8018FIG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8018FIG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	存储内存集成电路静态存储器
		BS616LV8018FIP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8018FIP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	存储内存集成电路静态存储器
		BS616LV8019 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8019EC 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8019EC-55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8019EC-70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8019EC55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 512KX16, 55ns, CMOS, PDSO44	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV8019EC70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PDSO44	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV8019ECG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8019ECG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV8019ECP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV8019ECP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器

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