型号起始：	BS616LV8* (219) BS616LV80* (219)
所属品牌：	不限 BSI(219)
功能分类：	不限静态存储器(219) 存储(41) 内存集成电路(66) 光电二极管(27)

BS616LV8 - 型号起始; 总记录数：219

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		BS616LV8019EI 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8019EI-55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8019EI-70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8019EI55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 512KX16, 55ns, CMOS, PDSO44	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV8019EI70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PDSO44	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV8019EIG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8019EIG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV8019EIP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8019EIP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV8019FC 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8019FC-55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8019FC-70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8019FC55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 512KX16, 55ns, CMOS, PBGA48	静态存储器内存集成电路
		BS616LV8019FC70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PBGA48	静态存储器内存集成电路
		BS616LV8019FCG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8019FCG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	存储内存集成电路静态存储器
		BS616LV8019FCP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8019FCP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8019FI 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8019FI-55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8019FI-70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8019FI55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 512KX16, 55ns, CMOS, PBGA48	静态存储器内存集成电路
		BS616LV8019FI70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PBGA48	静态存储器
		BS616LV8019FIG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8019FIG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8019FIP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8019FIP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8021 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K x 16 or 1M x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16或1M ×8位切换	静态存储器
		BS616LV8021AC 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K x 16 or 1M x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16或1M ×8位切换	静态存储器
		BS616LV8021AI 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K x 16 or 1M x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16或1M ×8位切换	静态存储器

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