型号起始：	BS616LV8* (219) BS616LV80* (219)
所属品牌：	不限 BSI(219)
功能分类：	不限静态存储器(219) 存储(41) 内存集成电路(66) 光电二极管(27)

BS616LV8 - 型号起始; 总记录数：219

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		BS616LV8022 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K x 16 or 1M x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16或1M ×8位切换	静态存储器
		BS616LV8022BC 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K x 16 or 1M x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16或1M ×8位切换	静态存储器
		BS616LV8022BI 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K x 16 or 1M x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16或1M ×8位切换	静态存储器
		BS616LV8023 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K x 16 or 1M x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16或1M ×8位切换	静态存储器
		BS616LV8023BC 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K x 16 or 1M x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16或1M ×8位切换	静态存储器
		BS616LV8023BI 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K x 16 or 1M x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16或1M ×8位切换	静态存储器
		BS616LV8025 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K x 16 or 1M x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16或1M ×8位切换	静态存储器
		BS616LV8025BC 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K x 16 or 1M x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16或1M ×8位切换	静态存储器
		BS616LV8025BI 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K x 16 or 1M x 8 bit switchable 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16或1M ×8位切换	静态存储器

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