型号起始：	BS616LV8* (219) BS616LV80* (219)
所属品牌：	不限 BSI(219)
功能分类：	不限静态存储器(219) 存储(41) 内存集成电路(66) 光电二极管(27)

BS616LV8 - 型号起始 - 存储; 总记录数：219

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		BS616LV8010 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8010EC 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8010EC-55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8010EC-70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8010EC55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 512KX16, 55ns, CMOS, PDSO44	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV8010EC70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PDSO44	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV8010ECG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8010ECG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV8010ECP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV8010ECP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV8010EI 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8010EI-55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8010EI-70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8010EI55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 512KX16, 55ns, CMOS, PDSO44	静态存储器光电二极管内存集成电路
		BS616LV8010EI70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PDSO44	静态存储器光电二极管
		BS616LV8010EIG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8010EIG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV8010EIP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV8010EIP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		BS616LV8010FC 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8010FC-55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8010FC-70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8010FC55 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 512KX16, 55ns, CMOS, PBGA48	静态存储器内存集成电路
		BS616LV8010FC70 中文翻译品牌: BSI	Standard SRAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PBGA48	静态存储器内存集成电路
		BS616LV8010FCG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8010FCG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	存储内存集成电路静态存储器
		BS616LV8010FCP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8010FCP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8010FI 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器
		BS616LV8010FI-55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位	静态存储器

Total:21912 3 4 5 6 7 8...8 下页

总219条记录，每页显示30条记录分8页显示。