型号等于: | BS616LV8017 (2) |
型号起始: | BS616LV8017* (54) BS616LV8017D* (12) BS616LV8017E* (20) BS616LV8017F* (18) BS616LV8017_* (2) |
所属品牌: | 不限 BSI(53) |
功能分类: | 不限 静态存储器(53) 存储(16) 内存集成电路(17) 光电二极管(9) |
品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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BS616LV8017EA70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | ||
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BS616LV8017EAG70
中文翻译 品牌: BSI |
Standard SRAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, GREEN, TSOP2-44 | 静态存储器 光电二极管 | |||
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BS616LV8017EC70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 512K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | |||
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BS616LV8017ECG70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | ||
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BS616LV8017ECP55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | ||
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BS616LV8017ECP70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | ||
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BS616LV8017EI55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 512K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | |||
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BS616LV8017EI70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 512K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | |||
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BS616LV8017EIP70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 |
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