型号等于:BS616LV8017EI (2)
型号起始:BS616LV8017EI* (10) BS616LV8017EI-* (2) BS616LV8017EI5* (1) BS616LV8017EI7* (1) BS616LV8017EIG* (2) BS616LV8017EIP* (2)
所属品牌:不限 BSI(9)
功能分类:不限 静态存储器(9) 存储(3) 内存集成电路(3) 光电二极管(3)
品牌 图片 型号 描述 用途标签 PDF 供应商
BS616LV8017EI
中文翻译 品牌: BSI
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit
非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位
静态存储器
BS616LV8017EI-55
中文翻译 品牌: BSI
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit
非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位
静态存储器
BS616LV8017EI-70
中文翻译 品牌: BSI
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit
非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位
静态存储器
BS616LV8017EI55
中文翻译 品牌: BSI
Very Low Power CMOS SRAM 512K X 16 bit
超低功耗CMOS SRAM 512K ×16位
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管
BS616LV8017EI70
中文翻译 品牌: BSI
Very Low Power CMOS SRAM 512K X 16 bit
超低功耗CMOS SRAM 512K ×16位
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管
BS616LV8017EIG55
中文翻译 品牌: BSI
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit
非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位
静态存储器
BS616LV8017EIG70
中文翻译 品牌: BSI
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit
非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位
静态存储器
BS616LV8017EIP55
中文翻译 品牌: BSI
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit
非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位
静态存储器
BS616LV8017EIP70
中文翻译 品牌: BSI
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit
非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管
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