品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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BS616LV8017EI
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV8017EI-55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV8017EI-70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV8017EI55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 512K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | |||
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BS616LV8017EI70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power CMOS SRAM 512K X 16 bit 超低功耗CMOS SRAM 512K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | |||
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BS616LV8017EIG55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位 |
静态存储器 | ||
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BS616LV8017EIG70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位 |
静态存储器 | ||
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BS616LV8017EIP55
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位 |
静态存储器 | |||
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BS616LV8017EIP70
中文翻译 品牌: BSI |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×16位 |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 |
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