| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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BSS126H6906XTSA1
EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON |
漏源电压Vdss(V):600 V ;额定电流Id(A):21mA（Ta） ;最大导通阻抗Ron(mΩ):500 欧姆 @ 16mA，10V ;类型:N通道;栅极电荷Qg(nC):2.1 nC @ | 栅 栅极 | ||
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BSS127
中文翻译 品牌: RECTRON |
Vdss (V) : 600 V;Id @ 25C (A) : 0.021 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 310000 mOhms;Total Gate Charge (nQ) typ : 0.07 nQ;Maximum Power Dissipation (W) : 0.5 W | 栅 | |||
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BSS138
中文翻译 品牌: UMW |
漏源电压（Vdss）:50V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:300mA;栅极-源极阈值电压:1.5V @ 250uA;漏源导通电阻:2.5Ω @ 500mA,10V;最大功耗（Ta = 25°C）:300mW;种类:N沟道 | 栅 栅极 | |||
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BSS138
中文翻译 品牌: HTSEMI |
封装形式 : SOT23; 工艺 : 沟槽型; 沟道类型 : 单N; 防静电ESD : 否; 漏源耐压 Vds(V) : 50.000; 栅源耐压 Vgs(V) : ±20; 阈值电压 Vth(V | 栅 |
Total:41
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