| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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BSS126H6327XTSA2
EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.021A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3 | 光电二极管 晶体管 | ||
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BSS126H6906
中文翻译 品牌: INFINEON |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.021A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3 | 光电二极管 晶体管 | |||
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BSS126H6906XTSA1
EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON |
漏源电压Vdss(V):600 V ;额定电流Id(A):21mA（Ta） ;最大导通阻抗Ron(mΩ):500 欧姆 @ 16mA，10V ;类型:N通道;栅极电荷Qg(nC):2.1 nC @ | 栅 栅极 | ||
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BSS126I
中文翻译 品牌: INFINEON |
英飞凌是少数向全球提供耗尽型晶体管 MOSFET 的制造商之一。应用范围包括供电电源启动电源、过压保护、涌入电流限制器、离线基准电压。使用单一部件就可能实现简单的电流调节。 | 限制器 晶体管 | |||
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BSS126L6327
中文翻译 品牌: INFINEON |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.021A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3 | 光电二极管 晶体管 | ||
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BSS126L6327HTSA1
中文翻译 品牌: INFINEON |
元器件封装:PG-SOT23; | |||
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BSS126L6906HTSA1
中文翻译 品牌: INFINEON |
元器件封装:PG-SOT23; | ||||
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BSS126_09
中文翻译 品牌: INFINEON |
SIPMOS Small-Signal-Transistor SIPMOS小信号三极管 |
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BSS127
中文翻译 品牌: BL Galaxy Electrical |
0.05A, 600V, 0.61W, N Channel, Small Signal MOSFETs | ||||
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BSS127
中文翻译 品牌: UTC |
0.021A, 600V SMALL-SIGNAL-TRANSISTOR | 开关 光电二极管 晶体管 | |||
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BSS127
中文翻译 品牌: INFINEON |
SIPMOS㈢ Small-Signal-Transistor SIPMOS®小信号三极管 |
晶体 小信号场效应晶体管 开关 光电二极管 | ||
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BSS127
中文翻译 品牌: RECTRON |
Vdss (V) : 600 V;Id @ 25C (A) : 0.021 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 310000 mOhms;Total Gate Charge (nQ) typ : 0.07 nQ;Maximum Power Dissipation (W) : 0.5 W | 栅 | |||
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BSS127
中文翻译 品牌: KEXIN |
N-Channel MOSFET | ||||
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BSS127E
中文翻译 品牌: ANBON |
SOT-23 | ||||
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BSS127G-AE2-R
中文翻译 品牌: UTC |
Small Signal Bipolar Transistor | ||||
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BSS127G-AE3-R
中文翻译 品牌: UTC |
0.021A, 600V SMALL-SIGNAL-TRANSISTOR | ||||
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BSS127H6327
中文翻译 品牌: INFINEON |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.021A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3 | 光电二极管 晶体管 | ||
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BSS127H6327XTSA2
中文翻译 品牌: INFINEON |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.021A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3 | |||
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BSS127I
中文翻译 品牌: INFINEON |
N-沟道增强模式 MOSFET BSS127I 采用 SOT-23-3 封装，其特性为 VDS = 600 V、RDS(on)最大 = 500 Ohm。 | ||||
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BSS127L-AE2-R
中文翻译 品牌: UTC |
Small Signal Bipolar Transistor | ||||
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BSS127L-AE3-R
中文翻译 品牌: UTC |
0.021A, 600V SMALL-SIGNAL-TRANSISTOR | ||||
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BSS127L6327
中文翻译 品牌: INFINEON |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.021A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3 | 光电二极管 晶体管 | |||
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BSS127L6327HTSA1
中文翻译 品牌: INFINEON |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.021A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 | 开关 光电二极管 晶体管 | ||
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BSS127S
中文翻译 品牌: DIODES |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | ||||
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BSS127S-7
EDA模型
中文翻译 品牌: DIODES |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.07A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, 3 PIN | 开关 光电二极管 晶体管 | |||
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BSS127SSN
中文翻译 品牌: DIODES |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD MOSFET | ||||
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BSS127V
中文翻译 品牌: RECTRON |
Small Signal Field-Effect Transistor, | ||||
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BSS127ZG-AE3-R
中文翻译 品牌: UTC |
Small Signal Field-Effect Transistor, | ||||
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BSS127ZL-AE3-R
中文翻译 品牌: UTC |
Small Signal Field-Effect Transistor, | ||||
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BSS127_10
中文翻译 品牌: INFINEON |
SIPMOS Small-Signal-Transistor SIPMOS小信号三极管 |