| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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BSS138
中文翻译 品牌: LGE |
场效应晶体管 | 晶体管 场效应晶体管 | |||
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BSS138
中文翻译 品牌: TYSEMI |
VDS (V) = 50V ID = 0.22 A RDS(ON) 3.5 (VGS = 10V) RDS(ON) 6 (VGS = 4.5V) VDS （V ） = 50V ID = 0.22的RDS（ON ）， 3.5 （ VGS = 10V ） RDS （ ON ） 6 （ VGS |
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BSS138
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET NCE N沟道增强型功率MOSFET |
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BSS138
中文翻译 品牌: PANJIT |
50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected 50V N沟道增强型MOSFET - ESD保护 |
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BSS138
中文翻译 品牌: UMW |
漏源电压（Vdss）:50V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:300mA;栅极-源极阈值电压:1.5V @ 250uA;漏源导通电阻:2.5Ω @ 500mA,10V;最大功耗（Ta = 25°C）:300mW;种类:N沟道 | 栅 栅极 | |||
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BSS138
中文翻译 品牌: MCC |
Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.; | ||||
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BSS138
中文翻译 品牌: CJ |
SOT-23 | ||||
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BSS138
中文翻译 品牌: DGNJDZ |
Package Outline : SOT-23; | ||||
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BSS138
中文翻译 品牌: VBSEMI |
元器件封装:SOT-23-3; | ||||
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BSS138
中文翻译 品牌: BL Galaxy Electrical |
0.2A, 50V, 0.3W, N Channel, Small Signal MOSFETs | ||||
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BSS138
中文翻译 品牌: LEIDITECH |
Package : SOT-23; Vdss Min(V) Drain-Source voltage : 50; Drain Current ID(A)25℃ : 0.3; Vgs(V) : 20; Vth Typ : 0.8..1.5; Ron(10V) (mΩ)Typ : -; Ron(10 | ||||
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BSS138
中文翻译 品牌: TSC |
50V, 0.26A, Single N-Channel Small-signal MOSFETs | ||||
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BSS138
中文翻译 品牌: HOTTECH |
SOT-23 | ||||
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BSS138
中文翻译 品牌: YANGJIE |
SOT-23 | ||||
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BSS138
中文翻译 品牌: KEXIN |
N-Channel MOSFET | ||||
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BSS138
中文翻译 品牌: HMSEMI |
低压MOS | ||||
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BSS138
中文翻译 品牌: ANBON |
SOT-23 | ||||
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BSS138
中文翻译 品牌: FOSHAN |
SOT-23 | ||||
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BSS138
中文翻译 品牌: JINGHENG |
Configuration:Single; Ch:N; Vds(V):50; Id(A):0.34; Pd(W):0.35; Vgs(MAX)(V):±20; Vth(Min)(V):0.8; Vth(Max)(V):1.6; RDS(on)(typ)(Ω)@4.5V:1.2; RDS(on)(ty | ||||
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BSS138
中文翻译 品牌: HTSEMI |
封装形式 : SOT23; 工艺 : 沟槽型; 沟道类型 : 单N; 防静电ESD : 否; 漏源耐压 Vds(V) : 50.000; 栅源耐压 Vgs(V) : ±20; 阈值电压 Vth(V | 栅 | |||
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BSS138
中文翻译 品牌: FS |
POLARITY : N-ch; PC : 225; ID : 200; VDSS : 50; Vth(min) : 0.8; RDS : 3500; VGS(RDS) : 5.0; Package : SOT-23; | PC | |||
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BSS138
中文翻译 品牌: GSME |
Channel : N; Pd(mW) : 225; ID(A) : 0.22; BVDSS(V) : 50; Package : SOT-23; | ||||
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BSS138
中文翻译 品牌: HDSEMI |
场效应 | ||||
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BSS138 (KSS138)
中文翻译 品牌: KEXIN |
N-Channel MOSFET | ||||
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BSS138-13-F
中文翻译 品牌: DIODES |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | ||||
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BSS138-7
中文翻译 品牌: DIODES |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR N沟道增强型网络场效晶体管 |
晶体 晶体管 | ||
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BSS138-7-F
EDA模型
中文翻译 品牌: DIODES |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR N沟道增强型网络场效晶体管 |
晶体 晶体管 | ||
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BSS138-CAR
中文翻译 品牌: GWSEMI |
Package : SOT-23; Polarity : Single-N; ESD : No; VDS (V) : 50; VGS (±V) : ±20; ID (A) @ 25°C : 0.22; VGS (TH) (V) : 0.8~1.5; RDS(Max)@VGS= 10V : 3500; | ||||
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BSS138-D87Z
中文翻译 品牌: TI |
220mA, 50V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB | ||||
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BSS138-F085
中文翻译 品牌: ONSEMI |
N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 | 晶体管 场效应晶体管 |