| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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NE34018-TI-63-A
中文翻译 品牌: CEL |
GaAs HJ-FET L TO S BAND LOW NOISE AMPLIFIER (New Plastic Package) 砷化镓HJ - FET在提单上S波段低噪声放大器（新塑料封装） |
晶体 放大器 晶体管 光电二极管 ISM频段 | |||
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NE34018-TI-64
中文翻译 品牌: CEL |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, PLASTIC, SOT-343, 4 PIN | 晶体 放大器 晶体管 光电二极管 ISM频段 | ||
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NE34018-TI-64-A
中文翻译 品牌: CEL |
GaAs HJ-FET L TO S BAND LOW NOISE AMPLIFIER (New Plastic Package) 砷化镓HJ - FET在提单上S波段低噪声放大器（新塑料封装） |
晶体 放大器 晶体管 光电二极管 ISM频段 | |||
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NE3503M04-A
中文翻译 品牌: CEL |
NECs C TO Ku BAND SUPER LOW NOISE AND HIGH-GAIN AMPLIFIER N-CHANNER HJ-FET NEC的C TO Ku波段超低噪声，高增益放大器的N- CHANNER HJ -FET |
晶体 放大器 晶体管 光电二极管 ISM频段 | ||
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NE3503M04-T2-A
中文翻译 品牌: CEL |
NECs C TO Ku BAND SUPER LOW NOISE AND HIGH-GAIN AMPLIFIER N-CHANNER HJ-FET NEC的C TO Ku波段超低噪声，高增益放大器的N- CHANNER HJ -FET |
晶体 放大器 晶体管 光电二极管 ISM频段 | ||
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NE3508M04-A
中文翻译 品牌: CEL |
HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISITOR 异质结场效应TRANSISITOR |
晶体 晶体管 光电二极管 ISM频段 放大器 | ||
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NE3508M04-T2-A
中文翻译 品牌: CEL |
HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISITOR 异质结场效应TRANSISITOR |
晶体 晶体管 光电二极管 ISM频段 放大器 | ||
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NE3509M04-A
中文翻译 品牌: CEL |
L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET L到S波段低噪声放大器N沟道HJ -FET |
晶体 放大器 晶体管 光电二极管 ISM频段 | ||
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NE3511S02-T1C-A
中文翻译 品牌: CEL |
X TO Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET X到Ku波段超低噪声放大器N沟道HJ -FET |
晶体 放大器 晶体管 ISM频段 | ||
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NE3511S02-T1D-A
中文翻译 品牌: CEL |
X TO Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET X到Ku波段超低噪声放大器N沟道HJ -FET |
晶体 放大器 晶体管 ISM频段 | |||
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NE52418-T1-A
中文翻译 品牌: CEL |
NECs L TO S BAND LOW NOISE AMPLIFIER NPN GaAs HBT 长者邻舍中心在提单上S波段低噪声放大器NPN砷化镓HBT |
晶体 放大器 晶体管 光电二极管 ISM频段 | ||
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NE5511279A
中文翻译 品牌: CEL |
7.5 V UHF BAND RF POWER SILICON LD-MOS FET 7.5 V UHF频段射频功率硅LD- MOS FET |
晶体 晶体管 射频 放大器 | |||
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NE5511279A-T1-A
中文翻译 品牌: CEL |
7.5 V UHF BAND RF POWER SILICON LD-MOS FET 7.5 V UHF频段射频功率硅LD- MOS FET |
射频 | ||
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NE5511279A-T1A-A
中文翻译 品牌: CEL |
7.5 V UHF BAND RF POWER SILICON LD-MOS FET 7.5 V UHF频段射频功率硅LD- MOS FET |
晶体 晶体管 射频 ISM频段 放大器 | |||
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NE5520279A-T1-A
中文翻译 品牌: CEL |
3.2 V, 2 W, L&S BAND MEDIUM POWER SILICON LD-MOSFET 3.2 V， 2 W ， L＆ S波段中功率硅LD- MOSFET |
晶体 晶体管 ISM频段 放大器 | |||
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NE55410GR-T3-AZ
中文翻译 品牌: CEL |
N-CHANNEL SILICON POWER LDMOS FET FOR 2 W + 10 W VHF to L-BAND SINGLE-END POWER AMPLIFIER N沟道硅功率LDMOS FET，用于2 W + 10瓦VHF到L波段单端功率放大器 |
晶体 放大器 晶体管 功率放大器 光电二极管 ISM频段 | ||
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NE662M04-T2-A
中文翻译 品牌: CEL |
NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR NPN硅高频三极管 |
晶体 晶体管 光电二极管 ISM频段 放大器 | ||
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NE664M04-T2-A
中文翻译 品牌: CEL |
MEDIUM POWER NPN SILICON HIGH FRQUENCY TRANSISTOR 中功率NPN硅高FRQUENCY晶体管 |
晶体 晶体管 光电二极管 ISM频段 放大器 | ||
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NE68118-T1-A
中文翻译 品牌: CEL |
NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR NPN硅高频三极管 |
晶体 晶体管 光电二极管 ISM频段 放大器 | ||
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NE68119-T1-A
中文翻译 品牌: CEL |
NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR NPN硅高频三极管 |
晶体 晶体管 光电二极管 ISM频段 放大器 | ||
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NE68130-T1-A
中文翻译 品牌: CEL |
NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR NPN硅高频三极管 |
晶体 晶体管 光电二极管 ISM频段 放大器 | ||
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NE68133-T1B-A
中文翻译 品牌: CEL |
NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR NPN硅高频三极管 |
晶体 晶体管 光电二极管 ISM频段 放大器 | ||
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NE68139-T1-A
中文翻译 品牌: CEL |
NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR NPN硅高频三极管 |
晶体 晶体管 光电二极管 ISM频段 放大器 | ||
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NE85618-T1-A
中文翻译 品牌: CEL |
NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR NPN硅高频三极管 |
晶体 晶体管 光电二极管 ISM频段 放大器 | ||
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NE85619-T1-A
中文翻译 品牌: CEL |
NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR NPN硅高频三极管 |
晶体 晶体管 光电二极管 ISM频段 放大器 | ||
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NESG2021M05-T1-A
中文翻译 品牌: CEL |
NECs NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRANSISTOR NEC的NPN硅锗高频三极管 |
晶体 晶体管 光电二极管 ISM频段 放大器 | |||
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NESG2030M04-A
中文翻译 品牌: CEL |
NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRANSISTOR NPN硅锗高频三极管 |
晶体 晶体管 光电二极管 ISM频段 放大器 | ||
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NESG2030M04-T2-A
中文翻译 品牌: CEL |
NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRANSISTOR NPN硅锗高频三极管 |
晶体 晶体管 光电二极管 ISM频段 放大器 | ||
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NESG2031M05-T1-A
中文翻译 品牌: CEL |
NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRANSISTOR NPN硅锗高频三极管 |
晶体 晶体管 光电二极管 ISM频段 放大器 | |||
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NESG2046M33-A
中文翻译 品牌: CEL |
NPN SiGe TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH -GAIN AMPLIFICATION NPN硅锗晶体管低噪声，高 - 获得扩增 |
晶体 晶体管 光电二极管 ISM频段 放大器 |
CEL是什么品牌：CEL（加州东部实验室）是瑞萨电子公司在美洲地区的复合半导体器件的独家销售和营销合作伙伴。产品包括RF元件和RFIC，光耦合器，固态继电器，激光二极管和光电探测器。