| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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DDB6U100N16RRBOSA1
中文翻译 品牌: INFINEON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-17 | 局域网 栅 功率控制 晶体管 | ||
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DDB6U134N16RR
中文翻译 品牌: INFINEON |
Diode Module with Chopper-IGBT 用斩波IGBT二极管模块 |
晶体 二极管 晶体管 功率控制 双极性晶体管 局域网 | ||
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DDB6U134N16RRB11BPSA1
中文翻译 品牌: INFINEON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-19 | 局域网 栅 功率控制 晶体管 | ||
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DDB6U180N16RRB11BPSA1
中文翻译 品牌: INFINEON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 140A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-26 | 局域网 栅 功率控制 晶体管 | ||
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DDB6U75N16W1R
中文翻译 品牌: INFINEON |
Diode-Gleichrichter / diode-rectifier Höchstzulässige Werte / maximum rated values 二极管Gleichrichter /二极管整流Höchstzulässige Werte /最大额定值 |
晶体 二极管 晶体管 功率控制 双极性晶体管 局域网 | ||
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DDB6U75N16W1R_B11
中文翻译 品牌: INFINEON |
IGBT-Module IGBT -模块 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 局域网 |
Total:61
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