品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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DF200R12KE3
中文翻译 品牌: INFINEON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 295A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-5 | 局域网 栅 晶体管 | ||
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DF200R12KE3HOSA1
中文翻译 品牌: INFINEON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 295A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-5 | 局域网 栅 晶体管 | ||
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DF200R12KL-A
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C) | M:HL093HW048
晶体管| IGBT | N -CHAN | 1.2KV V( BR ) CES | 200A I(C ) | M : HL093HW048\n |
晶体 晶体管 双极性晶体管 斩波器 局域网 | |||
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DF200R12W1H3B27BOMA1
中文翻译 品牌: INFINEON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-18 | 局域网 栅 功率控制 晶体管 | ||
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DF200R12W1H3FB11BOMA1
中文翻译 品牌: INFINEON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-18 | 局域网 栅 功率控制 晶体管 |
Total:51
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