| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
 |
2SA1413-Z
中文翻译 品牌: NEC |
PNP SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR MP-3 PNP硅三重扩散型晶体管MP- 3 |
晶体 晶体管 功率双极晶体管 开关 | |||
|
2SB1149
中文翻译 品牌: NEC |
Suitable for use to operate from IC without Predriver, such as hammer driver 适合用于从集成电路工作而不前置驱动器，例如锤驱动 |
晶体 驱动器 晶体管 功率双极晶体管 开关 局域网 | |||
|
 |
2SB805
中文翻译 品牌: NEC |
PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD PNP硅外延晶体管功率MINI模具 |
晶体 晶体管 功率双极晶体管 放大器 | ||
|
2SC1940
中文翻译 品牌: NEC |
NPN SILICON TRANSISTOR NPN硅晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
|
2SC1941
中文翻译 品牌: NEC |
NPN SILICON TRANSISTOR NPN硅晶体管 |
晶体 小信号双极晶体管 放大器 | |||
 |
 |
2SC1945
中文翻译 品牌: MITSUBISHI |
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for RF power amplifiers on HF band Mobile radio applications) NPN外延平面型（用于在HF频段的移动无线电应用的RF功率放大器） |
晶体 放大器 晶体管 功率双极晶体管 功率放大器 无线 局域网 | ||
|
 |
2SC1947
中文翻译 品牌: MITSUBISHI |
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for industrial use RF power amplifiers on VHF band Mobile radio applications) NPN外延平面型（对VHF频段的移动无线电应用工业用射频功率放大器） |
晶体 放大器 小信号双极晶体管 射频小信号双极晶体管 功率放大器 无线 局域网 | ||
|
 |
2SC1972
中文翻译 品牌: MITSUBISHI |
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for RF power amplifiers on VHF band Mobile radio applications) NPN外延平面型（对VHF频段的移动无线电应用的RF功率放大器） |
放大器 功率放大器 无线 局域网 | ||
|
 |
2SC2131
中文翻译 品牌: MITSUBISHI |
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for RF power amplifiers in UHF band Mobile radio applications) NPN外延平面型（用于RF功率放大器在UHF频段移动无线电应用） |
晶体 放大器 小信号双极晶体管 射频小信号双极晶体管 功率放大器 无线 局域网 | ||
|
2SC2690A
中文翻译 品牌: NEC |
Use in audio and radio Frequency power amplifiers. 使用音频和射频功率放大器。 |
放大器 射频 功率放大器 | |||
|
2SC3545-T1B
中文翻译 品牌: NEC |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, PLASTIC, SC-59, 3 PIN | 放大器 光电二极管 晶体管 | |||
|
2SC3571
中文翻译 品牌: NEC |
NPN SILICON POWER TRANSISTOR NPN硅功率晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
|
2SC3840
中文翻译 品牌: NEC |
NPN SILICON POWER TRANSISTOR NPN硅功率晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
|
 |
2SC4227
中文翻译 品牌: NEC |
HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR SUPER MINI MOLD 高频低噪声放大器NPN硅外延晶体管超迷你模具 |
晶体 放大器 晶体管 | ||
 |
 |
2SC4236
中文翻译 品牌: SHINDENGEN |
Switching Power Transistor(6A NPN) 开关功率晶体管（ NPN 6A ） |
晶体 开关 晶体管 | ||
|
 |
2SC4237
中文翻译 品牌: SHINDENGEN |
Switching Power Transistor(10A NPN) 开关功率晶体管（ 10A NPN ） |
晶体 开关 晶体管 局域网 | ||
|
2SC4331
中文翻译 品牌: NEC |
Silicon Power Transistor 硅功率晶体管 |
晶体 小信号双极晶体管 开关 | |||
|
 |
2SC5006
中文翻译 品牌: NEC |
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 3 PINS ULTRA SUPER MINI MOLD NPN硅外延晶体管3引脚超超MINI模具 |
晶体 小信号双极晶体管 射频小信号双极晶体管 光电二极管 放大器 | ||
|
2SC5508-T2
中文翻译 品牌: NEC |
NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN SUPER MINI-MOLD NPN硅射频晶体管低噪声，高增益放大FLAT - LEAD 4引脚薄型SUPER MINI |
晶体 小信号双极晶体管 射频小信号双极晶体管 光电二极管 放大器 | |||
|
2SD2165
中文翻译 品牌: NEC |
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING NPN硅外延晶体管（达林顿连接）低频功率放大器和低速开关 |
晶体 开关 放大器 晶体管 功率双极晶体管 功率放大器 局域网 | |||
 |
60N60B2
中文翻译 品牌: IXYS |
B2-Class High Speed IGBTs (Electrically Isolated Back Surface) B2级高速的IGBT （电隔离背面） |
双极性晶体管 | |||
|
60N60B2D1
中文翻译 品牌: IXYS |
B2-Class High Speed IGBTs (Electrically Isolated Back Surface) B2级高速的IGBT （电隔离背面） |
双极性晶体管 | |||
|
99161
中文翻译 品牌: IXYS |
B2-Class High Speed IGBTs (Electrically Isolated Back Surface) B2级高速的IGBT （电隔离背面） |
双极性晶体管 | |||
 |
GKB20N65EH3
中文翻译 品牌: BL Galaxy Electrical |
20A, 650V, 125W, N Channel, IGBT | 双极性晶体管 | |||
|
GKD05N65
中文翻译 品牌: BL Galaxy Electrical |
5A, 650V, 55W, N Channel, IGBT | 双极性晶体管 | |||
|
GKD06N65
中文翻译 品牌: BL Galaxy Electrical |
6A, 650V, 60W, N Channel, IGBT | 双极性晶体管 | |||
|
GKD07N65
中文翻译 品牌: BL Galaxy Electrical |
7A, 650V, 62.5W, N Channel, IGBT | 双极性晶体管 | |||
|
GKF07N65
中文翻译 品牌: BL Galaxy Electrical |
7A, 650V, 36W, N Channel, IGBT | 双极性晶体管 | |||
|
GKF20N65EH3
中文翻译 品牌: BL Galaxy Electrical |
20A, 650V, 30.6W, N Channel, IGBT | 双极性晶体管 | |||
|
GKP20N65EH3
中文翻译 品牌: BL Galaxy Electrical |
20A, 650V, 125W, N Channel, IGBT | 双极性晶体管 |