| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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0912-25
中文翻译 品牌: GHZTECH |
25 Watts, 50 Volts, Pulsed Avionics 960 - 1215 MHz 25瓦， 50伏特，脉冲航电960 - 1215兆赫 |
脉冲 | |||
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0912-45
中文翻译 品牌: GHZTECH |
45 Watts, 50 Volts, Pulsed Avionics 960 - 1215 MHz 45瓦， 50伏特，脉冲航电960 - 1215兆赫 |
晶体 晶体管 脉冲 放大器 局域网 | |||
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0912-7
中文翻译 品牌: GHZTECH |
7 Watts, 50 Volts, Pulsed Avionics 960 - 1215 MHz 7瓦， 50伏特，脉冲航电960 - 1215兆赫 |
脉冲 | |||
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2015-09-SMC-RPLF
中文翻译 品牌: BOURNS |
直流火花电压(V):90 V;脉冲放电电流(KA):5000A（5kA）;直流火花电压容差(%):±20%;元器件封装:2-SMD; | 脉冲 | ||
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2015-09-SMH-RPLF
中文翻译 品牌: BOURNS |
直流火花电压(V):90 V;脉冲放电电流(KA):5000A（5kA）;直流火花电压容差(%):±20%;元器件封装:2-SMD; | 脉冲 | ||
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2015-15-A-RPLF
中文翻译 品牌: BOURNS |
直流火花电压(V):150 V;脉冲放电电流(KA):5000A（5kA）;直流火花电压容差(%):±20%;元器件封装:2-SMD; | 脉冲 | ||
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2015-23-A-RPLF
中文翻译 品牌: BOURNS |
直流火花电压(V):230 V;脉冲放电电流(KA):5000A（5kA）;直流火花电压容差(%):±20%;元器件封装:2-SMD; | 脉冲 | ||
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2015-23-SMC-RPLF
中文翻译 品牌: BOURNS |
直流火花电压(V):230 V;脉冲放电电流(KA):5000A（5kA）;直流火花电压容差(%):±20%;元器件封装:2-SMD; | 脉冲 | ||
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2015-35-SMC-RPLF
中文翻译 品牌: BOURNS |
直流火花电压(V):350 V;脉冲放电电流(KA):5000A（5kA）;直流火花电压容差(%):±20%;元器件封装:2-SMD; | 脉冲 | ||
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2015-35-SMH-RPLF
中文翻译 品牌: BOURNS |
直流火花电压(V):350 V;脉冲放电电流(KA):5000A（5kA）;直流火花电压容差(%):±20%;元器件封装:2-SMD; | 脉冲 | ||
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2015-42-SMC-RPLF
中文翻译 品牌: BOURNS |
直流火花电压(V):420 V;脉冲放电电流(KA):5000A（5kA）;直流火花电压容差(%):±20%;元器件封装:2-SMD; | 脉冲 | ||
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2015-42-SMH-RPLF
中文翻译 品牌: BOURNS |
直流火花电压(V):420 V;脉冲放电电流(KA):5000A（5kA）;直流火花电压容差(%):±20%;元器件封装:2-SMD; | 脉冲 | ||
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2SJ128-Z
中文翻译 品牌: NEC |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 100V, 1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, MP-3, SC-63, 3 PIN | 开关 脉冲 晶体管 | |||
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2SJ128-Z-T1
中文翻译 品牌: NEC |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 100V, 1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, MP-3, SC-63, 3 PIN | 开关 脉冲 晶体管 | |||
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2SJ132
中文翻译 品牌: NEC |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 0.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 开关 脉冲 晶体管 | |||
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2SJ132-Z
中文翻译 品牌: NEC |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 0.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 开关 脉冲 晶体管 | |||
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2SJ132-Z-AZ
中文翻译 品牌: NEC |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 0.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 开关 脉冲 晶体管 | |||
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2SJ132-Z-T1
中文翻译 品牌: NEC |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 0.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, MP-3, SC-63, 3 PIN | 开关 脉冲 晶体管 | |||
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2SJ179
中文翻译 品牌: NEC |
P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SPEED SWITCHING P沟道MOS FET，用于高速开关 |
晶体 开关 晶体管 功率场效应晶体管 脉冲 | ||
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2SJ179-AZ
中文翻译 品牌: NEC |
暂无描述 | 晶体 开关 晶体管 功率场效应晶体管 脉冲 | |||
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2SJ205
中文翻译 品牌: NEC |
P-CHANNEL MOS FET FOR SWITCHING P沟道MOS FET切换 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | ||
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2SJ208
中文翻译 品牌: NEC |
P-CHANNEL MOS FET FOR SWITCHING P沟道MOS FET切换 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | ||
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2SJ302
中文翻译 品牌: NEC |
SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE 切换P沟道功率MOS FET工业用 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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2SJ302-Z
中文翻译 品牌: NEC |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 16A I(D) | TO-263VAR
晶体管| MOSFET | P沟道| 60V V（ BR ） DSS | 16A I（ D） | TO- 263VAR\n |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | ||
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2SJ328-Z
中文翻译 品牌: NEC |
SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE 切换P沟道功率MOS FET工业用 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | ||
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2SJ329
中文翻译 品牌: NEC |
SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE 切换P沟道功率MOS FET工业用 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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2SJ330
中文翻译 品牌: NEC |
SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE 切换P沟道功率MOS FET工业用 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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2SJ330-AZ
中文翻译 品牌: NEC |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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2SJ331
中文翻译 品牌: NEC |
SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE 切换P沟道功率MOS FET工业用 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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2SJ331-A
中文翻译 品牌: NEC |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 局域网 开关 脉冲 晶体管 |