型号起始:AD122* (2) AD516* (1) AD526* (2) AD625* (3) AD825* (9) AD835* (3) EN25B* (37) EN25F* (2) EN25P* (13) EN29L* (14) F25L0* (89) F25L1* (21) F25L3* (24) F25S0* (17) F49B0* (4) F49L0* (22) F49L1* (14) F49L3* (11) F49L4* (9) F49L8* (16) F50L1* (3) F50L2* (3) F50L4* (3) F59D1* (19) F59D2* (8) F59D4* (4) F59L2* (10) F59L4* (4) F59L8* (3) FM67D* (1) FM68D* (1)
所属品牌:不限 ESMT(1124)
功能分类:不限 动态存储器(619) 闪存(167) 双倍数据速率(180) 光电二极管(335) 内存集成电路(483) 存储(255) 时钟(116) 静态存储器(38) 手机(28) 驱动器(12) 音频放大器(12) 放大器(6) 功率放大器(3) 商用集成电路(2) 转换器(2) 控制器(1)
品牌 图片 型号 描述 用途标签 PDF 供应商
M10B11664A-40T
中文翻译 品牌: ESMT
Fast Page DRAM, 64KX16, 40ns, CMOS, PDSO40, TSOP2-44/40 动态存储器 光电二极管 内存集成电路
M11B16161A-45J
中文翻译 品牌: ESMT
EDO DRAM, 1MX16, 45ns, CMOS, PDSO42, SOJ-42 动态存储器 光电二极管
M11B16161A-45T
中文翻译 品牌: ESMT
EDO DRAM, 1MX16, 45ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-50/44 动态存储器 光电二极管
M11B16161A-50J
中文翻译 品牌: ESMT
EDO DRAM, 1MX16, 50ns, CMOS, PDSO42, SOJ-42 动态存储器 光电二极管
M11B16161A-60T
中文翻译 品牌: ESMT
EDO DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-50/44 动态存储器 光电二极管
M11B16161SA-45J
中文翻译 品牌: ESMT
EDO DRAM, 1MX16, 45ns, CMOS, PDSO42, SOJ-42 动态存储器 光电二极管
M11B16161SA-50T
中文翻译 品牌: ESMT
EDO DRAM, 1MX16, 50ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-50/44 动态存储器 光电二极管
M11B16161SA-60T
中文翻译 品牌: ESMT
EDO DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-50/44 动态存储器 光电二极管
M11B1644A-45J
中文翻译 品牌: ESMT
EDO DRAM, 4MX4, 45ns, CMOS, PDSO24, SOJ-26/24 动态存储器 光电二极管
M11B1644A-50T
中文翻译 品牌: ESMT
EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, TSOP2-26/24 动态存储器 光电二极管
M11B1644SA-50J
中文翻译 品牌: ESMT
EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, SOJ-26/24 动态存储器 光电二极管
M11B1644SA-50T
中文翻译 品牌: ESMT
EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, TSOP2-26/24 动态存储器 光电二极管
M11B1644SA-60T
中文翻译 品牌: ESMT
EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, TSOP2-26/24 动态存储器 光电二极管
M11B416256A
中文翻译 品牌: ESMT
256 K x 16 DRAM EDO PAGE MODE
256千×16 EDO DRAM页模式
动态存储器
M11B416256A-25J
中文翻译 品牌: ESMT
256 K x 16 DRAM EDO PAGE MODE
256千×16 EDO DRAM页模式
动态存储器
M11B416256A-25JP
中文翻译 品牌: ESMT
EDO DRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, LEAD FREE, SOJ-40 动态存储器 光电二极管
M11B416256A-25T
中文翻译 品牌: ESMT
256 K x 16 DRAM EDO PAGE MODE
256千×16 EDO DRAM页模式
存储 内存集成电路 光电二极管 动态存储器
M11B416256A-28J
中文翻译 品牌: ESMT
256 K x 16 DRAM EDO PAGE MODE
256千×16 EDO DRAM页模式
动态存储器
M11B416256A-28T
中文翻译 品牌: ESMT
256 K x 16 DRAM EDO PAGE MODE
256千×16 EDO DRAM页模式
动态存储器
M11B416256A-30J
中文翻译 品牌: ESMT
256 K x 16 DRAM EDO PAGE MODE
256千×16 EDO DRAM页模式
动态存储器
M11B416256A-30T
中文翻译 品牌: ESMT
256 K x 16 DRAM EDO PAGE MODE
256千×16 EDO DRAM页模式
动态存储器
M11B416256A-35J
中文翻译 品牌: ESMT
256 K x 16 DRAM EDO PAGE MODE
256千×16 EDO DRAM页模式
动态存储器
M11B416256A-35T
中文翻译 品牌: ESMT
256 K x 16 DRAM EDO PAGE MODE
256千×16 EDO DRAM页模式
动态存储器
M11B416256A-35TG
中文翻译 品牌: ESMT
EDO DRAM, 256KX16, 18ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-44/40 动态存储器 光电二极管 内存集成电路
M11B416256A-40J
中文翻译 品牌: ESMT
256 K x 16 DRAM EDO PAGE MODE
256千×16 EDO DRAM页模式
存储 内存集成电路 光电二极管 动态存储器
M11B416256A-40T
中文翻译 品牌: ESMT
256 K x 16 DRAM EDO PAGE MODE
256千×16 EDO DRAM页模式
动态存储器
M11D1644SA-60T
中文翻译 品牌: ESMT
EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, TSOP2-26/24 动态存储器 光电二极管
M11D1644SA-80T
中文翻译 品牌: ESMT
EDO DRAM, 4MX4, 80ns, CMOS, PDSO24, TSOP2-26/24 动态存储器 光电二极管 内存集成电路
M11L16161A-45J
中文翻译 品牌: ESMT
EDO DRAM, 1MX16, 45ns, CMOS, PDSO42, SOJ-42 动态存储器 光电二极管 内存集成电路
M11L16161A-45T
中文翻译 品牌: ESMT
EDO DRAM, 1MX16, 45ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-50/44 动态存储器 光电二极管 内存集成电路
Total:30012345678910...10
总300+条记录,每页显示30条记录分10页显示。
ESMT是什么品牌:晶豪科技股份有限公司 ( Elite Semiconductor Memory Technology Inc., ESMT) 为一专业 IC 设计公司,于 1998 年 6 月由赵瑚博士成立 , 总部设立于台湾之新竹科学工业园区。本公司主要业务包含 IC 产品之研究、开发、制造、销售及相关技术服务,并已于 2002 年 3 月在台湾证券交易所挂牌上市。