品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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M10B11664A-40T
中文翻译 品牌: ESMT |
Fast Page DRAM, 64KX16, 40ns, CMOS, PDSO40, TSOP2-44/40 | 动态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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M11B16161A-45J
中文翻译 品牌: ESMT |
EDO DRAM, 1MX16, 45ns, CMOS, PDSO42, SOJ-42 | 动态存储器 光电二极管 | |||
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M11B16161A-45T
中文翻译 品牌: ESMT |
EDO DRAM, 1MX16, 45ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-50/44 | 动态存储器 光电二极管 | |||
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M11B16161A-50J
中文翻译 品牌: ESMT |
EDO DRAM, 1MX16, 50ns, CMOS, PDSO42, SOJ-42 | 动态存储器 光电二极管 | |||
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M11B16161A-60T
中文翻译 品牌: ESMT |
EDO DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-50/44 | 动态存储器 光电二极管 | |||
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M11B16161SA-45J
中文翻译 品牌: ESMT |
EDO DRAM, 1MX16, 45ns, CMOS, PDSO42, SOJ-42 | 动态存储器 光电二极管 | |||
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M11B16161SA-50T
中文翻译 品牌: ESMT |
EDO DRAM, 1MX16, 50ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-50/44 | 动态存储器 光电二极管 | |||
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M11B16161SA-60T
中文翻译 品牌: ESMT |
EDO DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-50/44 | 动态存储器 光电二极管 | |||
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M11B1644A-45J
中文翻译 品牌: ESMT |
EDO DRAM, 4MX4, 45ns, CMOS, PDSO24, SOJ-26/24 | 动态存储器 光电二极管 | |||
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M11B1644A-50T
中文翻译 品牌: ESMT |
EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, TSOP2-26/24 | 动态存储器 光电二极管 | |||
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M11B1644SA-50J
中文翻译 品牌: ESMT |
EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, SOJ-26/24 | 动态存储器 光电二极管 | |||
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M11B1644SA-50T
中文翻译 品牌: ESMT |
EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, TSOP2-26/24 | 动态存储器 光电二极管 | |||
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M11B1644SA-60T
中文翻译 品牌: ESMT |
EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, TSOP2-26/24 | 动态存储器 光电二极管 | |||
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M11B416256A
中文翻译 品牌: ESMT |
256 K x 16 DRAM EDO PAGE MODE 256千×16 EDO DRAM页模式 |
动态存储器 | |||
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M11B416256A-25J
中文翻译 品牌: ESMT |
256 K x 16 DRAM EDO PAGE MODE 256千×16 EDO DRAM页模式 |
动态存储器 | |||
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M11B416256A-25JP
中文翻译 品牌: ESMT |
EDO DRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, LEAD FREE, SOJ-40 | 动态存储器 光电二极管 | |||
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M11B416256A-25T
中文翻译 品牌: ESMT |
256 K x 16 DRAM EDO PAGE MODE 256千×16 EDO DRAM页模式 |
存储 内存集成电路 光电二极管 动态存储器 | |||
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M11B416256A-28J
中文翻译 品牌: ESMT |
256 K x 16 DRAM EDO PAGE MODE 256千×16 EDO DRAM页模式 |
动态存储器 | |||
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M11B416256A-28T
中文翻译 品牌: ESMT |
256 K x 16 DRAM EDO PAGE MODE 256千×16 EDO DRAM页模式 |
动态存储器 | |||
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M11B416256A-30J
中文翻译 品牌: ESMT |
256 K x 16 DRAM EDO PAGE MODE 256千×16 EDO DRAM页模式 |
动态存储器 | |||
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M11B416256A-30T
中文翻译 品牌: ESMT |
256 K x 16 DRAM EDO PAGE MODE 256千×16 EDO DRAM页模式 |
动态存储器 | |||
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M11B416256A-35J
中文翻译 品牌: ESMT |
256 K x 16 DRAM EDO PAGE MODE 256千×16 EDO DRAM页模式 |
动态存储器 | |||
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M11B416256A-35T
中文翻译 品牌: ESMT |
256 K x 16 DRAM EDO PAGE MODE 256千×16 EDO DRAM页模式 |
动态存储器 | |||
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M11B416256A-35TG
中文翻译 品牌: ESMT |
EDO DRAM, 256KX16, 18ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-44/40 | 动态存储器 光电二极管 内存集成电路 | ||
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M11B416256A-40J
中文翻译 品牌: ESMT |
256 K x 16 DRAM EDO PAGE MODE 256千×16 EDO DRAM页模式 |
存储 内存集成电路 光电二极管 动态存储器 | |||
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M11B416256A-40T
中文翻译 品牌: ESMT |
256 K x 16 DRAM EDO PAGE MODE 256千×16 EDO DRAM页模式 |
动态存储器 | |||
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M11D1644SA-60T
中文翻译 品牌: ESMT |
EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, TSOP2-26/24 | 动态存储器 光电二极管 | |||
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M11D1644SA-80T
中文翻译 品牌: ESMT |
EDO DRAM, 4MX4, 80ns, CMOS, PDSO24, TSOP2-26/24 | 动态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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M11L16161A-45J
中文翻译 品牌: ESMT |
EDO DRAM, 1MX16, 45ns, CMOS, PDSO42, SOJ-42 | 动态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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M11L16161A-45T
中文翻译 品牌: ESMT |
EDO DRAM, 1MX16, 45ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-50/44 | 动态存储器 光电二极管 内存集成电路 |
ESMT是什么品牌:晶豪科技股份有限公司 ( Elite Semiconductor Memory Technology Inc., ESMT) 为一专业 IC 设计公司,于 1998 年 6 月由赵瑚博士成立 , 总部设立于台湾之新竹科学工业园区。本公司主要业务包含 IC 产品之研究、开发、制造、销售及相关技术服务,并已于 2002 年 3 月在台湾证券交易所挂牌上市。