品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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FP25R12W2T4PB11BPSA1
中文翻译 品牌: INFINEON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 39A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35 | 局域网 栅 功率控制 晶体管 | ||
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FP25R12W2T4PBPSA1
中文翻译 品牌: INFINEON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 39A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35 | 局域网 栅 功率控制 晶体管 | ||
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FP25R12W2T4P_B11
中文翻译 品牌: INFINEON |
TIM | |||
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FP25R12W2T4_B11
中文翻译 品牌: INFINEON |
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values IGBT - Wechselrichter / IGBT逆变器Höchstzulässige Werte /最大额定值 |
双极性晶体管 | ||
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FP25R12W2T7
中文翻译 品牌: INFINEON |
EasyPACK??2B 1200 V,?25 A?PIM?IGBT模块,采用TRENCHSTOP? IGBT7、第7代发射极控制二极管,内置NTC。 | 双极性晶体管 二极管 | |||
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FP25R12W2T7_B11
中文翻译 品牌: INFINEON |
PressFIT | ||||
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FP25S
中文翻译 品牌: VMI |
2,500 V - 10,000 V Rectifier Stacks 2.2 A Forward Current 3000 ns Recovery Time 2500 V - 10,000 V整流器书库2.2一个正向电流3000 ns的恢复时间 |
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FP25S
中文翻译 品牌: NJSEMI |
RECTIFIER STACKS 2.2 A FORWARD CURRENT 3000 NS RECOVERY TIME |