| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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FP25R12KT3
中文翻译 品牌: EUPEC |
IGBT-inverter IGBT逆变器 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 PC 局域网 | |||
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FP25R12KT3
中文翻译 品牌: INFINEON |
EconoPIM™ 2 1200 V、25 A 三相 PIM IGBT 模块，采用快速 TRENCHSTOP™ IGBT3 芯片和 NTC温度传感器。集成了整流器和制动斩波器的 PIM（功率集成模块）可节省系统成本。OTM模块可使用 Econo 2 和 Econo 3 封装，同时具有可焊接引脚。 | 局域网 PC 栅 斩波器 温度传感 双极性晶体管 功率控制 传感器 温度传感器 | ||
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FP25R12KT4
中文翻译 品牌: INFINEON |
EconoPIM?2 module with trench/feldstopp IGBT4 and emitter controlled 4 diode EconoPIM ™ 2模块沟/ feldstopp IGBT4和发射极控制二极管4 |
晶体 二极管 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
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FP25R12KT4B15BOSA1
中文翻译 品牌: INFINEON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-24 | 局域网 栅 功率控制 晶体管 | ||
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FP25R12KT4BOSA1
中文翻译 品牌: INFINEON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT, MODULE-23 | 局域网 栅 功率控制 晶体管 | ||
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FP25R12KT4_B15
中文翻译 品牌: INFINEON |
EconoPIM2 module with Trench/Fieldstopp IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode EconoPIM2模块海沟/ Fieldstopp IGBT4和发射极控制二极管4 |
晶体 二极管 晶体管 功率控制 双极性晶体管 局域网 | ||
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FP25R12W2T4
中文翻译 品牌: INFINEON |
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter IGBT - Wechselrichter / IGBT逆变器 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
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FP25R12W2T4B11BOMA1
中文翻译 品牌: INFINEON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 39A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35 | 局域网 栅 功率控制 晶体管 | ||
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FP25R12W2T4BOMA1
中文翻译 品牌: INFINEON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 39A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35 | 局域网 栅 功率控制 晶体管 | ||
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FP25R12W2T4ENG
中文翻译 品牌: INFINEON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, | 晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | |||
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FP25R12W2T4P
中文翻译 品牌: INFINEON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, | 晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
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FP25R12W2T4PB11BPSA1
中文翻译 品牌: INFINEON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 39A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35 | 局域网 栅 功率控制 晶体管 | ||
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FP25R12W2T4PBPSA1
中文翻译 品牌: INFINEON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 39A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35 | 局域网 栅 功率控制 晶体管 |
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